I-NLZ61NP-8..230V UC

IRG4BC30UD

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 23 A, Uce = 600 V, Pd = 100 W, pouzdro TO220AB Parametry: Ic = 23 A Ic puls = 92 A Uce = 600 V, Uge = 20 V, Pd = 100 W, Ton/off = 40/91 ns, Pouzdro = TO220AB

STFW3N150

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 2,5 A, Vds = 1500 V, Pd = 63 W, Rds = 9 Ohm, pouzdro TO3PF Parametry: Idss = 2,5 A Uds = 1500 V, Ugs = 30 V, Pd = 63 W, Rds = 9 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO3PF

BU226

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 1,5 A, Pd = 32 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 1,5 A Uce0 = - V, Ucb0 = 800 V, Pd = 32 W, h21E = -, fT = - MHz, Pouzdro = TO3

STP9NK50Z

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 7,2 A, Vds = 500 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 7,2 A Uds = 500 V, Ugs = 30 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

QM 12.000MHZ 30ppm AURIS

Krystal HC49US, 12 MHz Teplotní rozsah = -20..70 °C Frekvenční tolerance = 30 ppm Půdorys pouzdra = 11,1x4,7 mm Výška pouzdra = 4,2 mm Pouzdro: = HC49US

CE 2,2M/63VT HIT-EMR 4x7 RM1,5 AMMO

Kondenzátor elektrolytický radiální Standardní, 2,2uF/63V C = 2,2 uF U = 63 V Tol. = 20 % Rozměry = 4 x 7 mm RM = 1,5 mm Max. Teplota = 105 °C Balení = AMMO

IRFBC40

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 6,2 A, Vds = 600 V, Pd = 125 W, Rds = 1,2 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 6,2 A Uds = 600 V, Ugs = 20 V, Pd = 125 W, Rds = 1,2 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

BD238

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 2 A, Pd = 25 W, pouzdro TO126 Parametry: Ic = 2 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 25 W, h21E = 20..180, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO126

BL02RN2R1P1A

EMI filtr, 6A, pracovní teplota -40 až 85°C

2N3906

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,2 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,2 A Uce0 = 40 V, Ucb0 = 40 V, Pd = 0,625 W, h21E = 30..300, fT = 250 MHz, Pouzdro = TO92

Měřící šňůra FIRST TECH SBL-50B

měřicí šňůra 10A modrá 0,5m. Max. 1000V AC/DC

IRF9540

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 19 A, Vds = 100 V, Pd = 150 W, Rds = 0,2 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 19 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,2 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

ATF-13484ATF

8GB Micro SDHC Kingston - class 4

P/N: SDC4/8GBSP Název Kingston Micro SDHC karta 8GB Class 4 Výrobce Kingston Třída produktu FLASH paměťové karty Typ paměťové karty Micro SecureDigital Card High-Capacity (microSDHC) Kapacita paměti 8192 MB Rychlost zápisu 4 MB/s Šířka 11 mm Hloubka 1 mm Výška 15 mm Přepínač pro ochranu zápisu Ne Doplňující informace CLASS 4 Další informace KINGSTON CZ [LINK]

CE 1000M/16VIT HIT-ESX 10x25 RM5 BULK

Kondenzátor elektrolytický radiální Low ESR, 1000uF/16V C = 1000 uF U = 16 V Tol. = 20 % Rozměry = 10 x 25 mm RM = 5 mm Max. Teplota = 105 °C Balení =

Náhradní hrot SOLOMON 20/30T-4C

Náhradní hrot k páječkám SOLOMON SL-20CMC/SL-30CMC/SL-916ESD Typ špičky: přímá - zkosená Průměr špičky hrotu: 4 mm

IRFR120NPBF

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 9,4 A, Vds = 100 V, Pd = 48 W, Rds = 0,21 Ohm, pouzdro TO251AA Parametry: Idss = 9,4 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 48 W, Rds = 0,21 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO251AA

IRF640

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 18 A, Vds = 200 V, Pd = 125 W, Rds = 0,18 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 18 A Uds = 200 V, Ugs = 20 V, Pd = 125 W, Rds = 0,18 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220